MOSFET选用原则 一、反应时间 T(nS)： 二、驱动功率 P(mW)： 分为： 开启时间Ton 导通延迟时间T +上升时间T d(on) r T(nS) 146 Td(on) 18 (nS) Tr(nS) 59 P= WF=0.5CU2 F=0.5*U2 *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 栅源电荷Q（nC） 14.5 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON） 通态漏极电流ID（ON） 关断时间T 判断延迟时间T +下降时间T off d(off) f T d(off) 11 (nS) T f (nS) 58 栅源电压U（V）驱动信号频率F（KHz） 10 100