电路采用标准半桥带倍压整流的线路 输入最低AC电压Vmin 90 （V） 1、输入输出条件 输入最低DC电压Vmin 输入最高AC电压Vmax 输入最高DC电压Vmax 142 260 202 （V） （V） （V） 线圈最低DC电压Vinmin 线圈最高DC电压Vinmin 142 202 （V） （V） 变压器效率μ 0.9 输入最大功率Po 122.4667（W） 2、BOBBIN尺寸大小 磁芯的有效截面积Ae 磁芯的有效截面积Ac 202 （mm （mm2 ） 58.72 ） ） Ae*Ac的值（必须大于TJ）11857.4（mm4 变压器的TJ值为 10391.21（mm4） 3、最大电流电压 4、感量及匝数 最大占空比Dmax MOS最大峰值电流I1p 4.312207（A） 0.8 一二次的匝比：N1 / N212.90909 10 最高工作频率Fmax 20 50 （kHz） （μS） 周期T 一次侧辅助线圈的电压N 二次侧辅助线圈的电压N3 4 12 12 （V） （V） 共振频率f R5 （kHz） 输出电压量L 13.60915（μH） 20 耦合电容量C 0.50712（μF） 5、输入、输出电容 输入允许波动电压 30 （V） 输入电容量Cin 459.9687（μF） 流的线路 输出最大电压Vo5 （V） 次级输出电压V2 输出最大电流Io 输出保护电流I2 5.5 16.7 20.04 （V） （A） （A） 输出最大功率Po 110.22 （W） 最大磁通密度B max 1600 （Gauss） 绕线的电流密度d 3.175 （A/mm2 ） 自然冷却时取 1.5-4A/mm 风扇冷却时取 3-6A/mm2 2 DIODE最大峰值电流I2p DIODE最大峰值电压V2p 8.016 （A） （V） 18.77746479 一次线圈的圈数N1 54.91955446 5.5 55 二次线圈的圈数N2 4.2 一次侧辅助线圈的圈数N 二次侧辅助线圈的圈数N3 4 10.08 10.08 f一般取工作频率的四分之一（必须低于工作频率） R 输出允许波动电压Vripple 输出允许波动电流Iripple 输出电容的容量C 100 5.01 313.125 （mV） （A） （μF） 输出电容的ESR值 19.96007984（mΩ）