# 以下为纯文本简介，不带文件格式；详细内容请下载文档查看；
氮化镓半导体材料欧亿·体育（中国）有限公司研究报告 2020年 简版
目录1 5
氮化镓欧亿·体育（中国）有限公司概述2 氮化镓产业链分析3目录
氮化镓市场分析4 氮化镓企业分析
氮化镓未来发展趋势
Copyright ? xincailiao
内部欧亿·体育（中国）有限公司，仅供会员学习使用
氮化镓欧亿·体育（中国）有限公司概述
半导体材料演化历程
? 主要材料：硅(Si)、锗(Ge)
? 技术标志：大晶片尺寸，窄线条宽度，如12英寸/0.15μm技术
第一代? 主要产品：以大规模集成电路为主要技术的计算机等电子产品
半导体
? 主要材料：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表
? 技术标志：使通讯速度、信息容量、存储密度大幅提高
第二代? 主要产品：以光发射器件为基础的光显示、光通讯和光储存系统
半导体
? 主要材料：碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、氮化铝（AlN）、金刚石等
? 技术标志：禁带宽度更高
第三代
半导体
? 主要产品：制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件
Copyright ? xincailiao
内部欧亿·体育（中国）有限公司，仅供会员学习使用
氮化镓欧亿·体育（中国）有限公司概述
氮化镓特性及性能
氮
化
镓
原
子
结
构
? 宽的带隙
? 强的原子键
? 高热导率
? 高熔点材料，约为1700℃
? 六方纤锌矿结构
? 化学稳定性好，耐腐蚀
半导体
Si
SiC
GaN
特性
带隙
单位
eV
1.1 1500 1.0 3.26 700 2.0 3.492000 2.1
电子迁移率
电子峰值速度
临界电场
热导率2 cm /Vs
107 cm/S
MV/cm
W/cm·K
εr
0.3 3.0 3.0 1.5 4.5 1.5 9.0
相对介电常数
11.8 10.0
Copyright ? xincailiao
内部欧亿·体育（中国）有限公司，仅供会员学习使用
氮化镓欧亿·体育（中国）有限公司概述
不同功率器件所处的优势领域
? GaN材料电子饱和漂移速率最高，适合高频率应用场景，但在高压高功率场景不如 SiC，
以电压来分，0~300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V~600V之间则
是GaN材料的优势领域。
? 据Yole估计，在0~900V的低压市场GaN都有较大的应用潜力，约占整个功率市场的68%。
GaN器件可以适用于超过68%的功率器件市场
GaN的优势领域
8% 4%
0~300V 300~600V 600V以上
低电压（0~900V）
中电压
Si
GaN
SiC
20%
（1.2kV~1.9kV）
高电压（2kV~3kV）
68%
极高电压（3.3kV）
数据来源：Yole，赛瑞研究整理
Copyright ? xincailiao
内部。。。以下略