ICS29.045H82ZZB浙 江 制 造 团 体 标 准T/ZZB 0648—2018200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polishedwafers2018-10-19发布2018-11-01实施浙江省品牌建设联合会发布 T/ZZB 0648—2018目次前言 ................................................................................ II1范围 .............................................................................. 1规范性引用文件 .................................................................... 1术语和定义 ........................................................................ 1产品分类 .......................................................................... 1基本要求 .......................................................................... 2技术要求 .......................................................................... 2试验方法 .......................................................................... 4检验规则 .......................................................................... 4包装标志运输和贮存 ............................................................ 6订货单（或合同）内容 ............................................................. 7质量承诺 ......................................................................... 7234567891011IT/ZZB 0648—2017前言本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任本标准由浙江省浙江制造品牌建设促进会提出并归口本标准由浙江省标准化研究院牵头组织制定本标准主要起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司本标准参与起草单位：金瑞泓科技（衢州）有限公司本标准主要起草人：许峰朱华英陈平人田达晰梁兴勃刘红方李方虎李艳玲本标准由浙江省标准化研究院负责解释IIT/ZZB 0648—2017200mm重掺磷直拉硅单晶抛光片1范围本标准规定了200mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义产品分类基本要求技术要求试验方法检验规则包装标志运输和贮存订货单（或合同）内容和质量承诺本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料采用直拉法制备的直径为200mm的硅单晶抛光片产品主要用于集成电路分立器件用外延片的衬底2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅所注日期的版本适用于本文件凡是不注日期的引用文件其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件GB/T 1550GB/T 1555非本征半导体材料导电类型测试方法半导体单晶晶向测定方法GB/T 2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T 4058GB/T 6616GB/T 6619GB/T 6624GB/T 11073GB/T 12962硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法半导