园亘中华人民共和国国家标准?? ???宰瞀鹊紫瓣訾襻瞥霎发布中国国家标准化管理委员会促? 言?之间的?秃蚉型外延层——原标准?奈?，删除“??衬底和外延层导电类型及衬底电阻率应是已知的”内容，增加防止试样表面大面积晶格不完整以及要求测试前表面进行清洁处理的内容；——原标准?奈?，对选取试样的外延厚度的要求改为对衬底电阻率和谱图波数位置的要求，并增加??．?捎肎?疶??中规定的方法在对应的反面位置测试衬底电阻率；——原标准?奈?，增加极值波数和波长的转换公式。删除原??经验计算法内容； ?的?秃蚉型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本??ㄋ?械男薷牡?适用于本文件。??硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法?入射角的正弦相对折射角的正弦的比率。这里的入射角和折射角是指表面法线和红外光束的夹角。对电阻率大于?????璨牧希?辈ǔし段???～???保?喽钥掌?母帽戎滴?．?，该??衬底和外延层光学常数的差异导致试样反射光谱出现连续极大极小特征谱的光学干涉现象，根据反射光谱中极值波数、外延层与衬底光学常数和红外光束在试样上的入射角计算外延沉积层厚度。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以 ????∥??凇?????????夏?禩式中，习惯上，??。且?Ｒ籔???渲衜一彳，??ィ?，?，级数差是整数或半整数。???穸缺泶锸娇赏ü?贝?搿伲??笆??、式??⑹??、式??频汲隼矗?峁??．?惺??。 ??红外光谱仪??．?ǔぶ馗葱圆淮笥?．? ?。?。试样表面应是高度反射的，防止大面积的晶格不完整缺陷，以及除自然氧化层外不应该有钝化层。测量前试样表面应进行清洁处理，此处理方法不能影响到试样外延层厚度。??．?煤穸任???????“或?????峰为测??．??记录极小值的位置。?“的极小值位??．?愿道镆侗浠缓焱夤馄滓撬?褂玫姆直媛视Σ坏陀? ?～。