ICS27.160 DB61 F 12 陕 西省地方标准 DB61/ T 512—2011 太阳电池用单晶硅片检验规则 2011-04-20发布 2011-05-01实施 陕西省质量技术监督局 发布   DB61/ T 512—2011 前 言 本标准参考 SEMI M6—2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T 12965—2005《硅单晶切割片和研 磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华 山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。 I   DB61/ T 512—2011 太阳电池用单晶硅片检验规则 1 2 范围 本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。 本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550—1997 GB/T 1553—2009 非本征半导体材料导电类型测试方法 硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555—2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB/T 6618—2009 GB/T 6619—2009 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 11073 SEMI MF1535—2007 微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 线痕 saw mark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 径向电阻率变化radial resistivity tolerance 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或 靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数 表示。又称径向电阻率梯度。 3.3 晶片厚度 thickness of slices 1